AOT462L Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT462L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V