AOT412 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	2.6W (Ta), 150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.2A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	2.6W (Ta), 150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.2A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

AOT412

AOT412 характеристики