AOP607 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 60V 8DIP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP607 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 4.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 4.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 30V