AON7932_101 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7932_101 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.6A, 8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.6A, 8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 15V