AON7900 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.8W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.8W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 15V

AON7900

AON7900 характеристики