AON7812 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 6A, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7812 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.1W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.1W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V