AON7532E Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 11Вт; DFN3x3 EP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7532E характеристики	Выбрать все
Серия	AlphaMOS
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (2.9x2.3)
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 28W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	AlphaMOS
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (2.9x2.3)
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 28W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V