AON7452 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 17W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 17W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

AON7452

AON7452 характеристики