AON7421 от 261 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7421 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	6.2W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4550pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	6.2W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4550pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V