AON7407 от 208 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7407 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 29W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4195pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 29W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4195pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V