AON7296 от 231 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 8А; 8,3Вт; DFN3x3 EP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7296 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	415pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	415pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V