AON7290 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7290 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	6.25W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	6.25W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V