AON7264E характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaSGT™
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	27.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaSGT™
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (3x3)
Рассеивание мощности (Макс)	27.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AON7264E

AON7264E характеристики