AON6918 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6918 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W, 2.2W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A, 26.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W, 2.2W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A, 26.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 15V