AON6912A Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 21/33А; 9/12Вт; DFN5x6, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6912A характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W, 2.1W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A, 13.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.7 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	910pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W, 2.1W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A, 13.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.7 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	910pF @ 15V