AON6850 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 18А; 22Вт; DFN5x6 EP2, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6850 характеристики	Выбрать все
Серия	SDMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 50V

Характеристики	Выбрать все
Серия	SDMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 50V