AON6816 от 358 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 13А; 8Вт; DFN5x6B, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6816 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.8W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1540pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.8W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1540pF @ 15V