AON6812 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22А; 12,5Вт; DFN5x6, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6812 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.1W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5.2x5.55)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1720pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.1W
Исполнение корпуса	8-DFN-EP (5.2x5.55)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1720pF @ 15V