AON6760 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3440pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3440pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

AON6760

AON6760 характеристики