AON6512 от 375 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 115А; 33Вт; DFN5x6, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6512 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	7.4W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	54A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3430pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	7.4W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	54A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3430pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V