AON6452 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	SDMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (Max)	±25V

AON6452

AON6452 характеристики