AON6403 от 615 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6403 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9120pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9120pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V