AON5816 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 1Вт; DFN2x5; общий сток, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5816 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 12A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2170pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.7W
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 12A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2170pF @ 10V