AON3818 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.7W
Исполнение корпуса	8-DFN (2.9x2.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	24V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.7W
Исполнение корпуса	8-DFN (2.9x2.3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	24V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 12V

AON3818

AON3818 характеристики