AON2812 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 15V

AON2812

AON2812 характеристики