AON2801L Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET P-CH DUAL DFN, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	6-DFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	6-DFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V