AON2406 от 202 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 6А; 1,8Вт; DFN2x2B, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2406 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V