AON2400 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 8A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	750mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1645pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±5V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 8A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	750mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1645pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±5V

AON2400

AON2400 характеристики