AON2260 от 200 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,7А; 1,8Вт; DFN2x2B, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2260 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	426pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN-EP (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	426pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V