AON1605_001 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-DFN (1.0 x 0.60)
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	710 mOhm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	750nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-DFN (1.0 x 0.60)
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	710 mOhm @ 400mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	750nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

AON1605_001

AON1605_001 характеристики