AOE6930 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	24W, 75W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	24W, 75W
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	22A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

AOE6930

AOE6930 характеристики