Каталог товаров
Назад

AOD607_DELTA

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L


AOD607_DELTA характеристики

Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 25W (Tc)
Исполнение корпуса TO-252-4L
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V

Характеристики

Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 25W (Tc)
Исполнение корпуса TO-252-4L
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V

AOD607_DELTA

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
AOD607_DELTA
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на AOD607_DELTA. Транзисторы — полевые — массивы производства Alpha & Omega Semiconductor Inc. доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы AOD607_DELTA купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1124 ₽
+ 168600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
31 шт.
от 692 ₽
+ 207600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
357 шт.
от 1019 ₽
+ 305700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 917 ₽
+ 275100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
252 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 610 ₽
+ 183000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
44 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3560 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
379 шт.
от 678 ₽
+ 203400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
37 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов