AOD2N60 от 250 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2N60 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	56.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	56.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V