AOD2810 от 159 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 36А; 50Вт; TO252, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2810 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±25V