AOD256 от 418 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V