AOC4810 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 8-DFN, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC4810 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-XFLGA Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	8-AlphaDFN (3.2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1130pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-XFLGA Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	8-AlphaDFN (3.2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1130pF @ 15V