AOC2421 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -2,5А; 600мВт; DFN4, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2421 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 1.5A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	752pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 1.5A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	752pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±5V