AOB7S60L Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 600V D2PAK, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB7S60L характеристики	Выбрать все
Серия	aMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263 (D?Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	aMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263 (D?Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V