AOB290L от 400 руб, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 110А; 250Вт; TO263, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB290L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263 (D?Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	126nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9550pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263 (D?Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	126nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9550pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V