AO6704 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-TSOP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6704 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.39W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.39W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V