AO6701 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6701 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.15W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	409pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.15W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	409pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V