AO6409A характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	905pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74, SOT-457
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	905pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

AO6409A

AO6409A характеристики