Failed to connect to MySQLi: (2002) Connection refused AO4812L_101 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 6A, Alpha & Omega Semiconductor Inc.
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

AO4812L_101

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6A


AO4812L_101 характеристики
Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 15V

Характеристики
Производитель Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 15V

AO4812L_101

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 6A
AO4812L_101
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на AO4812L_101. Транзисторы — полевые — массивы производства Alpha & Omega Semiconductor Inc. доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы AO4812L_101 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1103 ₽
+ 165450 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
78 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 1000 ₽
+ 300000 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 900 ₽
+ 270000 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 598 ₽
+ 179400 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
458 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1331 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
291 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
8 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город