AO4600C Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4600C характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Preliminary
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Preliminary
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V