AO4447AL характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AO4447AL

AO4447AL характеристики