AO4442L Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CHANNEL 75V 3.1A 8SO, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4442L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 37.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 37.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±25V