AO3162 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.39W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	34mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 16mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.39W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	34mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 16mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.1V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

AO3162

AO3162 характеристики