ALD2331PAL характеристики	Выбрать все
Производитель	Advanced Linear Devices Inc.
Серия	EPAD®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип	General Purpose
Тип выходного сигнала	CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL
Исполнение корпуса	8-PDIP
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	3 V ~ 10 V, ±1.5 V ~ 5 V
Входное смещение по напряжению (Max)	2mV @ 5V
Входное смещение по току (Макс)	20pA @ 5V
Выходной ток (Номинальный)	50mA @ 5V
Собственный потребляемый ток (Макс)	180µA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	80dB CMRR, 75dB PSRR
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Advanced Linear Devices Inc.
Серия	EPAD®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип	General Purpose
Тип выходного сигнала	CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL
Исполнение корпуса	8-PDIP
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	3 V ~ 10 V, ±1.5 V ~ 5 V
Входное смещение по напряжению (Max)	2mV @ 5V
Входное смещение по току (Макс)	20pA @ 5V
Выходной ток (Номинальный)	50mA @ 5V
Собственный потребляемый ток (Макс)	180µA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	80dB CMRR, 75dB PSRR
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

ALD2331PAL

ALD2331PAL характеристики