ALD212900APAL от 1863 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP, Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900APAL характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V