ALD210808PCL Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP, Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808PCL характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	16-PDIP
Тип полевого транзистора	4 N-Channel, Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	16-PDIP
Тип полевого транзистора	4 N-Channel, Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-